HIPIMSは、High Power Inpulse Magnetron Sputtering の略であり、パルス電源の１種である。大きな電力を瞬間に印加することにより、プラズマ密度を上げ、スパッタ粒子の反応性を上げ、密着性の向上、緻密で表面平滑性の良い、均質な膜を作ることを目指した技術である。デューティー比は０．１～５％程度であり、成膜速度は７０％程度に落ちるが、GaN単結晶などの高付加価値製品の開発などに注目されている。

すでに、ハードコーティングなどに、実用化されている。

スパッタ膜の開発では、最適なプロセス条件の決定や、装置設計、スパッタ膜の分布、組成、構造などを検討する必要があり、従来は試行錯誤的に多くの実験を行ってきた。シミュレーションを活用することで、多くの条件の実験を、シミュレーションで省力化できれば、開発時間の短縮やコストの削減が可能になる。右図で、Cu密度分布、電子密度分布を見て、Cu＋密度分布を比較すると、ビジュアル的に各傾向が捉えられる。（ペガサスソフトウエア社技術資料）